چکیده__ چهار ضرب کننده ولتاژ برمبنای اینورتر CMOS جدید تشکیل شده از ترانزیستورهایعبور PMOS/NMOS، مدارات اینورتر، و خازن ها، در این مقاله ارایه شده اند. ضرب کننده های ولتاژ ارایه شده که عملیات یکسوسازها و پمپ های شارژ را با هم انجام می دهند، بازده ی تبدیل توان را بالا برده و تعداد مولفه های واکنشی (غیر فعال یا پسیو) را کاهش می دهد، بنابر این برای ساخت آی سی مناسب می باشند. ضرب کننده ولتاژ با ولتاژ خروجی مثبت، توسط فرآیندهای TSMC ۰. ۳۵μm CMOS ۲P۴M پیاده سازی شده، و نتایج آزمایشی نیز مطابقت خوبی با تجزیه و تحلیل های نظری داشتند. سطح تراشه ی بدون پد، به ازای ولتاژ خروجی مثبت پنج-مرحله ای ضرب کننده ولتاژ، تنها ۱. ۷۵×۱. ۳۲ mm۲ می باشد.
پروژه کارشناسی ارشد برق
فایل محتوای:
- اصل مقاله لاتین ۴ صفحه IEEE
- متن ورد ترجمه شده بصورت کاملا تخصصی و قابل ویرایش ۱۳ صفحه
بررسی تأثیر کیفیت خدمات بانکداری الکترونیک بر رضایتمندی مشتریان با استفاده از مدل ترکیبی کانو و تح