loading...
دانلود مقالات و پروژه های دانشجویی ارزان
حاجی زاده بازدید : 19 چهارشنبه 28 مرداد 1394 نظرات (0)

خلاصه

در این مقاله یک کلید زنی نرم جدید دو طرفه مبدل DC-DC که می تواند به عنوان مدار واسط بین خازن های فوق العاده و باتری و یا سلول های سوختنی استفاده شود مورد استفاده قرار داده شده است. تمام دستگاه های نیمه هادی در مبدل پیشنهادی کلید زنی نرم هستند در حالی که مدار کنترل PWM باقی می ماند. با توجه به کلید زنی نرم تبدیل انرژی از طریق مبدل پیشنهاد شده دارای راندمان بالایی می باشد. مبدل پیشنهاد شده به تجزیه و تحلیل پرداخته شده ونتایج تجربی تجزیه و تحلیل نظری تایید شده ای دارد.

کلمات کلیدی: باتری، مبدل توان جریان مستقیم، خازن فوق العاده، سوئیچینگ نرم

مقدمه

سیستم های ذخیره سازی انرژی با هدف فراهم کردن قدرت بسیار بالا طرحی شده اند. اگر تنها باتری یا سلول های سوختی در ذخیره سازی انرژی استفاده شوند، ظرفیت آنها باید طوری طراحی شود تا پاسخ گوی بالاترین سطح قدرت نیز باشند.

با استفاده از 'خازن فوق العاده'در کنار باتری یا سلول سوختی میتوانیم نیازبه قدرت بسیار بالا را از طریق این خازن فراهم کنیم و در نتیجه میتوانیم حجم ذخیره سازی و هزینه دیگر سیستم های ذخیره سازی را کاهش دهیم. خازن های فوق العاده معمولاً از طریق باتری ها و سلول های سوختی باردار می شوند که نیاز به انرژی کمی برای کارکرد دارند. در بالاترین سطح انرژی ویاانرژی ذخیره شده در خازن های فوق العاده میتواند فراهم کننده انرژی برای دیگر سیستم های ذخیره انرژی باشد.

  • فرمت: zip
  • حجم: 0.80 مگابایت
  • شماره ثبت: 411

خرید و دانلود

حاجی زاده بازدید : 5 چهارشنبه 07 مرداد 1394 نظرات (0)

دسته: برق

حجم فایل: 5384 کیلوبایت

تعداد صفحه: 27

تنظیم توان راکتیو و اکتیومستقیم ژنراتوردوسوتغذیه (DFIG) با استفاده از روش کنترل مد لغزشی (DPC) :

چکیده: این مقاله یک روش کنترل مستقیم توان راکتیو و اکتیو (DPC) جدید ژنراتور القایی دوسو تغذیه (DFIG) متصل به شبکه، که دریک نیروگاه بادی نصب شده است را ارائه نموده است.

روش DPC پیشنهادی، ولتاژکنترل موردنیاز روتوررا با یک روش کنترل غیر خطی با مد لغزشی، بطورمستقیم محاسبه می کند به طوریکه خطاهای لحظه ای توان های راکتیور و اکتیوبدون تبدیل هرگونه مختصات سنکرون حذف می شوند.

در نتیجه نیازی به حلقه های کنترل جریان نبوده بنابراین با ساده شدن طراحی سیستم میزان عملکرد گذرا بهبود می یابد. فرکانس سوئیچ زنی مبدل ثابت با استفاده از مدولاسیون بردار فضایی بدست می آید بطوری که طراحی مبدل توان و فیلتر هارمونیک ac را ساده می کند.

دراین مقاله نتایچ شبیه سازی مربوط به شبکه ای است که متصل به ژنراتور دوسو تغذیه (DFIG) با ظرفیت 2MW بوده، که با نتایج روش معمولی کنترل برداری ولتاژ و نتایج بدست آمده از جدول کنترل توان مستقیم (DPC- LUT) مقایسه می شوند. بنابراین DPC پیشنهادی، همانند DPC- LUT میزان عملکرد گذرای بهبود یافته را فراهم می کند. و دیگری اینکه مثل روش کنترل بردار ((VC هارمونیک حالت دائم را در همان سطح نگه می دارد.

کلمات کلیدی: فرکانس کلیدزنی و سوئیچ زنی ثابت، کنترل توان مستقیم (DPC) ، ژنراتورهای القایی دو سوتغذیه (DFGs) ، کنترل مد لغزش (SMC) ، نیروگاه بادی.

قیمت: 16,000 تومان

خرید و دانلود

حاجی زاده بازدید : 9 یکشنبه 14 تیر 1394 نظرات (0)

ترجمه مقاله یک ژنراتور sag ولتاژ تکفاز جهت تست تجهیزات الکتریکی

دسته: برق | حجم فایل: 658 کیلوبایت | تعداد صفحه: 13 | یک ژنراتور Sag ولتاژ تکفاز جهت تست تجهیزات الکتریکی | چکیده___این مقاله یک ژنراتور Sag ولتاژ ترانسفورمری (Vsg) مناسب برای اندازه گیری قابلیت سوسپتانس تجهیزات الکتریکی به Sag ولتاژ را بیان می کند. در Vsg (منظور تولید کننده ی Sag ولتاژ که بر مبنای ترانسفورماتور کار می کند) ساخته شده، از یک اتو ترانس و 2 رله حالت ماندگار (Ssr) برای ارایه ولتاژ نامی و ولتاژ Sag به بار استفاده شده است. وضعیت سوییچینگ دو رله حالت ماندگار (Ssr) توسط سیگنال مدت زمان ولتاژ نامی و ولتاژ Sag تولید شده توسط مدارات الکترونیکی کنترل می شود. نتایج عملکرد Vsg نشان می دهد ک […] — ادامه متن

حل مدارات کلید زنی ؟؟؟؟؟؟؟؟؟؟

2 - در حالتی که البته بعد از کلیدزنی و پس از طی شدن حالت گذاری مدار است، مدار به حالت ماندگار […] — ادامه متن

روش کاهش هارمونیک انتخابی برای مبدل های توان بالا

چکیده در کاربردهای توان-بالا، بیشینه فرکانس سوییچینگ به دلیل تلفات گرمایی، محدود می شود. این، منجر به شکل موج های با اعوجاج زیاد می شود. در این کاربردها، بایستی شکل موج خروجی را با استفاده از سیستم های فیلتر پسیو حجیمی، فیلتر کرد. تکنیک مدولاسیون پهنای پالس کاهش هارمونیک انتخابی (Shmpwm) که هم اکنون ارایه می شد، شکل موج های خروجی تولید می کند که در آن اعوجاج هارمونیکی محدود بوده، و هنگامی که تعداد زاویه های سوییچینگ به اندازه کافی زیاد است، کدگذاری شبکه خاص را انجام می دهد. تکنیک مربوطه، پیش از این با استفاده از فرکانس سوییچینگ برابر با ۷۵۰ Hz ارایه شده بود. در این مقاله، یک پیاده سازی مخصوص ا […] — ادامه متن
حاجی زاده بازدید : 27 دوشنبه 08 تیر 1394 نظرات (0)

مقاله کارشناسی ارشد برق

فایل دانلودی دارای این مواد است

1) اصل مقاله لاتین 4 صفحه

2) متن ورد ترجمه شده به صورت کاملا تخصصی 7 صفحه

چکیده

این مقاله روش جدیدی برای تلمتری اطلاعات بوسیله ابزارهای کاشتنی پزشکی به دنیای خارج را معرفی می کند (همچنین با عنوان تلمتری اطلاعات معکوس معروف است). در روش پیشنهاد شده، همزمان با انتقال توان (و شاید هم اطلاعات) با استفاده از یک حامل اصلی به ایمپلانت، حامل دومی نیز از طریق همان لینک به ایمپلانت فرستاده می شود. حامل دوم که دارای فرکانس بالاتر و دامنه کوچکتر است، بوسیله کلید زنی تغییر بار برای تلمتری اطلاعات معکوس پیشبینی شده است. در این فرایند، لینک بیسیم (وایرلس) بوسیله دو فرکانس تشدید با استفاده از پیچک های مارپیج چاپی با تزویج نزدیک بهم و شبکه های تطبیق LC، دریافت می شود. فرکانس های حامل های اصلی و کمکی، به ترتیب 1 مگاهرتز و 10 مگاهرتز با پیک دامنه 5 ولت و 1 ولت است. همزمان با قابلیت تامین پیوسته توان های تنظیم نشده بار مقاومتی 100 اهمی با بیشینه توان 80 میلی وات با پیک ولتاژ 4 ولت لینک، تلمتری اطلاعات با میزان 100 کیلوبایت بر ثانیه، بطور موفق در جهت معکوس مورد آزمون قرار می گیرد.

خرید و دانلود

حاجی زاده بازدید : 31 جمعه 22 خرداد 1394 نظرات (0)

چکیده

این مقاله روش جدیدی برای تلمتری اطلاعات به وسیله ابزارهای کاشتنی پزشکی به دنیای خارج را معرفی می کند (همچنین با عنوان تلمتری اطلاعات معکوس معروف است). در روش پیشنهاد شده، همزمان با انتقال توان (و شاید هم اطلاعات) با استفاده از یک حامل اصلی به ایمپلانت، حامل دومی نیز از طریق همان لینک به ایمپلانت فرستاده می شود. حامل دوم که دارای فرکانس بالاتر و دامنه کوچکتر است، به وسیله کلیدزنی تغییر بار برای تلمتری اطلاعات معکوس پیش بینی شده است. در این فرایند، لینک بیسیم (وایرلس) به وسیله دو فرکانس تشدید با استفاده از پیچک های مارپیج چاپی با تزویج نزدیک بهم و شبکه های تطبیق LC، دریافت می شود. فرکانس های حامل های اصلی و کمکی، به ترتیب 1 مگاهرتز و 10 مگاهرتز با پیک دامنه 5 ولت و 1 ولت است. همزمان با قابلیت تامین پیوسته توان های تنظیم نشده بار مقاومتی 100 اهمی با بیشینه توان 80 میلی وات با پیک ولتاژ 4 ولت لینک، تلمتری اطلاعات با میزان 100 کیلوبایت بر ثانیه، به طور موفق در جهت معکوس مورد آزمون قرار می گیرد.

مقدمه

میکروسیستم ها برای تعبیه در افزارهایی که نیاز به ارتباط با دنیای بیرون به وسیله اتصال بیسیم دارند، طراحی شده اند. به طور کل، ارتباط بیسیم به میکروسیستم های پزشکی قابل کاشت، برای تلمتری اطلاعات به الکترونیک کاشته شده و نیز برای تبادل اطلاعات دوطرفه میان جای تعبیه شده و دنیای خارج استفاده می شود [1]. دو روش برای انتقال اطلاعات بیسیم از میکروسیستم های قابل کاشت به دنیای بیرون وجود دارد.

خرید و دانلود

حاجی زاده بازدید : 52 سه شنبه 19 خرداد 1394 نظرات (0)

مقدمه:

در سیستمهای قدرت و شبكه های انتقال و توزیع انرژی الكتریكی، تك تك تجهیزات نقش اساسی دارند و بروز هرگونه عیبی در آنها، ایجاد اختلال در شبكه، اتصال كوتاه و قطع برق را به همراه دارد. خاموشی و جایگزینی تجهیزات معیوب هزینه های هنگفتی را به شبكه تحمیل می نماید. لذا بررسی و تحلیل بروز عیب در تجهیزات از اهمیت خاصی برخوردار می باشد و در صورت شناخت این عیوب و سعی در جلوگیری از بروز آنها از هدر رفتن سرمایه اقتصادی كشور جلوگیری به عمل می آید. برقگیرها از جمله تجهیزاتی هستند كه جهت محدود كردن اضافه ولتاژهای گذرا (صاعقه و كلید زنی) در شبكه های انتقال و توزیع به كار می روند. برقگیرها ضمن اینكه حفاظت تجهیزات در مقابل اضافه ولتاژهای گذرا را بر عهده دارند، باید در مقابل اضافه ولتاژهای موقتی از خود واكنشی نشان ندهند و همچنین با توجه به شرایط محیطی منطقه مورد بهره برداری، نظیر رطوبت و آلودگی، عملكرد صحیح و قابل قبولی را ارائه دهند.

فهرست مطالب

فصل اول: مقدمه

کلیات

هدف

فصل دوم: بررسی انواع اضافه ولتاژها در سیستمهای قدرت و علل پیدایش آنها

مقدمه

انواع مختلف اضافه ولتاژها در شبکه

اضافه ولتاژهای صاعقه

مشخصه اضافه ولتاژهای صاعقه

اضافه ولتاژهای کلید زنی (قطع و وصل)

موج استاندارد قطع و وصل یا کلید زنی

علل بروز اضافه ولتاژهای کلیدزنی

اضافه ولتاژهای ناشی از کلید زنی جریان های سلفی و خازنی

اضافه ولتاژهای کلیدزنی ناشی از تغییرات ناگهانی بار

اضافه ولتاژهای موقت

مقدمه

خطاهای زمین

تغییرات ناگهانی بار

اثر فرانتی

تشدید در شبکه

تشدید در خطوط موازی

فصل سوم: نحوه تعیین پارامترهای برقگیر جهت حفاظت از شبکه در مقابل اضافه ولتاژها

مقدمه

برقگیرهای اکسید روی

ساختمان مقاومتهای غیر خطی

منحنی ولت – آمپر غیرخطی مقاومتها

پایداری حرارتی، اختلال حرارتی

تعاریف و مشخصات برقگیرهای اکسید روی

ولتاژ نامی

مقدار حقیقی ولتاژ بهره برداری

عنوان

حداکثر ولتاژ کار دائم

فرکانس نامی

ولتاژ تخلیه

مشخصه حفاظتی برقگیر

نسبت حفاظتی

حاشیه حفاظتی

جریان مبنای برقگیر

ولتاژ مرجع

جریان دائم برقگیر

جریان تخلیه نامی برقگیر

قابلیت تحمل انرژی

کلاس تخلیه برقگیر

انتخاب برقگیرها

انتخاب ولتاژ نامی و ولتاژ کار دائم برقگیر

فصل چهارم: بررسی علل ایجاد اختلال در برقگیرهای اکسید روی

مقدمه

اشکالات مربوط به طراحی و ساخت برقگیر

پایین بودن کیفیت قرص های وریستور

پیرشدن قرص های اکسید روی تحت ولتاژ نامی در طول زمان

نوع متالیزاسیون مورد استفاده روی قاعده قرص های اکسید روی

عدم کیفیت لازم عایق سطحی روی وریستورها

اشکالات مربوط به انتخاب نوع برقگیر و محل آن در شبکه

پایین بودن ظرفیت برقگیر مورد انتخاب نسبت به قدرت صاعقه های موجود در محل

پایین بودن ولتاژ آستانه برقگیر انتخاب شده نسبت به سطح TOV

اشکالات ناشی از نحوه نگهداری و بهره برداری از برقگیر

وجود تخلیه جزئی در داخل محفظه برقگیر

آلودگی سطح خارجی محفظه برقگیر

اکسید شدن و خرابی کنتاکتهای مدارات خارجی برقگیر

فصل پنجم: شناسایی پدیده فرورزونانس و بررسی حادثه پست ۲۳۰/۴۰۰ کیلوولت فیروز بهرام

مقدمه

شناسایی پدیده فرورزونانس

فرورزونانس

فرورزونانس سری یا ولتاژی

فرورزونانس موازی یا فرورزونانس جریانی

طبقه بندی مدلهای فرورزونانس

مدل پایه

مدل زیر هارمونیک

مدل شبه پریودیک

مدل آشوب گونه

شناسایی فرورزونانس

جمع آوری اطلاعات شبکه و پست جهت شبیه سازی و بررسی حادثه پست فیروز بهرام

بررسی حادثه مورخ ۲۸/۲/۸۱ پست فیروز بهرام

مدلسازی و مطالعه حادثه با استفاده از نرم افزار emtp

رفتار برقگیرهای سمت اولیه و ثانویه ترانسفورماتور در هنگام وقوع حادثه۸۷

عنوان

رفتار برقگیر فاز T سمت KV۲۳۰ ترانسفورماتور در هنگام وقوع حادثه

بررسی روشهای جهت جلوگیری از وقوع پدیده فرورزونانس در پست فیروز بهرام

الف- وجود بار در سمت ثانویه ترانسفورماتور

ب- ترانسپوز کردن خط رودشور – فیروز بهرام

فصل ششم: نتیجه گیری و پیشنهادات

۶-۱- نتیجه گیری و پیشنهادات

ضمائم

منابع و مراجع

خرید و دانلود

حاجی زاده بازدید : 50 پنجشنبه 07 خرداد 1394 نظرات (0)

چکیده در کاربردهای توان-بالا، بیشینه فرکانس سوییچینگ به دلیل تلفات گرمایی، محدود می شود. این، منجر به شکل موج های با اعوجاج زیاد می شود. در این کاربردها، بایستی شکل موج خروجی را با استفاده از سیستم های فیلتر پسیو حجیمی، فیلتر کرد. تکنیک مدولاسیون پهنای پالس کاهش هارمونیک انتخابی (SHMPWM) که هم اکنون ارایه می شد، شکل موج های خروجی تولید می کند که در آن اعوجاج هارمونیکی محدود بوده، و هنگامی که تعداد زاویه های سوییچینگ به اندازه کافی زیاد است، کدگذاری شبکه خاص را انجام می دهد. تکنیک مربوطه، پیش از این با استفاده از فرکانس سوییچینگ برابر با ۷۵۰ Hz ارایه شده بود. در این مقاله، یک پیاده سازی مخصوص از روش SHMPWM که برای فرکانس های سوییچینگ پایین، بهینه سازی شده است، بررسی خواهد شد. نتایج آزمایشی، بدست آمده از اعمال SHMPWM به یک مبدل نقطه-خنثی-مهار شده (NPC) _با استفاده از فرکانس سوییچینگ برابر با ۳۵۰ Hz _ بدست آمده است. نتایج بدست آمده، نشان می دهند که تکنیک SHMPWM، نتایج تکنیک مدولاسیون پهنای پالس حذف هارمونیک انتخابی قبلی را _به ازای فرکانس های کلیدزنی (سوییچینگ) خیلی پایین_ بهبود می بخشد. این حقیقت، بیان می دارد که روش SPWM در کاربردهای توان-بالا، بسیار کار آمد بوده و استفاده از آن موجب کاهش مهم عناصر فیلترینگ گران قیمت و حجیم، می شود.

اصطلاحات شاخص فیلترها، اعوجاج هارمونیکی، سیستم های چند سطحی.

پروژه کارشناسی ارشد برق

فایل محتوای:

  • اصل مقاله لاتین ۹ صفحه IEEE
  • متن ورد ترجمه شده بصورت کاملا تخصصی و قابل ویرایش ۱۹ صفحه

خرید و دانلود

حاجی زاده بازدید : 18 دوشنبه 28 اردیبهشت 1394 نظرات (0)

چکیده

ما هم بصورت آنالیزی و هم بصورت محاسباتی مشخصه های کلیدزنی، قفل شدگی، و پایداری دوسویه یک لیزر حلقه ای نیمه هادی در معرض یک تزریق نوری بیرونی را بررسی می کنیم. کمینه توان نوری مورد نیاز سیگنال تزریق در فرکانسی مشخص برای سوییچ کردن مسیر لیزر کردن یک لیزر حلقه ای نیمه هادی از مسیر لیزری اولیه خود به مسیر غیرلیزری اولیه آن، تعیین شده است. به منظور یافتن ناحیه عملیات سوییچینگ قابل اطمینان، قفل شدگی سیگنال تزریقی و پایداری لیزر سوییچ شده مورد بررسی قرار گرفته اند. به همین سان، به منظور یافتن سوییچینگ (کلیدزنی) موفق و ناحیه قفل شدگی پایدار با توان و فرکانس تزریق متغیر، شبیه سازی های عددی انجام گرفته اند و با نتایج آنالیزی مورد مقایسه قرار گرفته اند. ناحیه ای که با استفاده از شبیه سازی بدست آمد، تطابق خوبی با محل تقاطع ناحیه های سوییچینگ، قفل شدگی و قفل شدگی پایدار دارد. روابط میان پارامترها و سرعت سوییچینگ منبع تزریق شده نیز بصورت عددی مورد بررسی قرار گرفته است.

کلیدواژه: پایداری دوسویه، قفل شدگی تزریق، رقابت نما، لیزرهای حلقه ای نیمه هادی، کلیدزنی

مقدمه

لیزرهای حلقه ای نیمه هادی با توجه به ویژگی بی همتای پایداری دوسویه آنها [1] و [2] _یعنی قابلیت آنها برای عملکرد در دو مسیر لیزری پایدار مشخص (مسیر ساعتگرد (CW) و مسیر پادساعتگرد (CCW)) که در شکل 1 نشان داده شده است و کاربردهای قوی آنها در سیستم های نوری برای کاربردهای منطق تمام-اپتیک، سوییچ نوری، و حافظه نوری [3] و [4]، توجه زیادی را به خود جلب کرده اند. تغییر از یک مسیر لیزری به مسیر دیگر را می توان با تزریق بیرونی انرژی نوری به مسیر غیرلزری قبل که یک فرآیند رقابت حالت موافق این مسیر را به منظور مسیر لیزری شدن در پایان فرایند آغاز می کند می توان انجام داد.

خرید و دانلود

حاجی زاده بازدید : 60 پنجشنبه 17 اردیبهشت 1394 نظرات (0)

چکیده__ با پیشرفت ترانسفورماتورهای قدرت، انتقال قدرت مفید بدون-اتصال در مقیاس بزرگ میان قالب های ثابت و مرجع _برای کاربردهایی مانند وسایل نقلیه برقی، تعادل مواد و گرمایش پلاسما برای علم گداخت (هسته ای) _ مساله ای است که توجه همگان را به خود وا داشته است. توکامک، ابزار گداخت توسعه یافته رایجی می باشد که گرمایش، یکی از تکنولوژی های کلیدی آن برای راهکار راکتور آینده اوست. اغلب در سیستم NBI، برای گرمایش توکامک، از توبیخ کننده برای حفاظت دستگاه استفاده می شود [۱-۳]. NBI حاظر، از ترانسفورماتورهای ایزوله (جداکننده) فشار قوی (HV) ۵۰/۶۰ Hz استفاده می کند تا منبع توان dc خود را برای ارایه به جریان بایاس توبیخ کننده تنظیم کند، که ممکن است کل تغییرات شار هسته را از تقطه اشباع منفی به نقطه اشباع مثبت یکی از حلقه های اصلی BH اش، مصرف کند. با استفاده از منبع توان بایاس، می توان توبیخ کننده را به نیمی از وزنش کاهش داد. اما این ترانسفورماتور جداکننده فشار قوی ۵۰/۶۰ Hz، بسیار سنگین تر از سیستم ایزوله کننده فاشر قوی (HV) فرکانس بالا (HF) است. این مقاله نیازمندی ها، طراحی و آزمایش این سیستم های قدرت فشرده را، مبنی بر تکنولوژی های سوییچینگ با-جریان-صفر فشار قوی فرکانس بالا، برای توبیخ کننده NBI "توکامک ابررسانای پیشرفته آزمایشگاهی" (EAST) و نیز پتانسیل آن برای تامین توان HVDC فشرده، ارایه می دهد. استراتژی کنترل جدید آن نیز، با یک ماکروپالس تشکیل شده از چندین ماکروپالس پیوسته محدود دیجیتال، پیاده سازی می شود. بیش از ۱۰۰ ارزیابی آزمایشگاهی نیز، به منظور بررسی نتایج تحلیل انجام می شود که می توان از آن برای طراحی مهندسی دقیق منابع توان برای EAST، مبنی بر IGBT، استفاده کرد.

اصطلاحات مربوطه__ منابع توان فشرده (PS) ، توبیخ کننده هسته، توکامک ابررسانای پیشرفته آزمایشی (EAST) ، راکتور آزمایشی گرمای هسته ای بین المللی (ITER) ، انتقال قدرت با تزویج القا (IPT) ، ترانسسفورماتورهای جدا کننده (ایزوله) فشار قوی (HV) ، فرکانس بالا (HF) ، طیف خنثی (NB) ، مایکروویو، حالت پالس، IGBT، کلیدزنی (سوییچینگ) جریان-صفر (ZCS).

پروژه کارشناسی ارشد برق

فایل محتوای:

  • اصل مقاله لاتین ۶ صفحه IEEE ۲۰۱۲
  • متن ورد ترجمه شده بصورت کاملا تخصصی و قابل ویرایش ۱۶ صفحه

خرید و دانلود

حاجی زاده بازدید : 46 یکشنبه 13 اردیبهشت 1394 نظرات (0)

دسته: برق

حجم فایل: 1120 کیلوبایت

تعداد صفحه: 151

فهرست

مقدمه: ---1

فصل اول: موتورهای DC

1-1: موتورهای جریان مستقیم DC ---4

2-1 : انواع موتورهای dc که در صنعت کاربرد دارند --5

3-1 : موتورهای مینیاتوری--- 5

4-1 : مدارات قطع و وصل ولتاژ تغذیه ---8

5-1 : کنترل جهت چرخش موتور مینیاتوری --- 11

6-1 : کنترل جهت چرخش موتور dc با استفاده از نیم پل H ---13

7-1 : کنترل جهت چرخش موتور dc با استفاده از تمام پل H ---16

8-1 : کنترل جهت چرخش موتور dc با استفاده کلیدزنی ---23

9-1 : استفاده از LED برای نشان دادن جهت چرخش موتور ---24

11-1: روش ها و مدارات کنترل سرعت موتورهای روش ها و مدارات کنترل سرعت موتور--- 24

12-1: تثبیت کننده سرعت موتور DC ---27

13-1: سروموتور --- 31

فصل دوم: مدارات خطی و PWM برای کنترل توان

0-2: هدف ---44

1-2: مفاهیم تئوری --- ---44

2-2: دو نوع مدار کنترل ---46

3-2: مدارات کنترل خطی --- 46

4-2: مدولاسیون پهنای باند ---48

5-2: یک مدار کنترل PWM چگونه کار می کند ---49

6-2: دو نوع مدار کنترل PWM --- 52

7-2: مدارات کنترل خطی ---53

8-2: بلوک 64 رئوستای الکترونیکی---54

9-2: بلوک 65 مدار کنترل کننده خطی با استفاده از ترانزیستور دارلینگتون--- 56

10-2: بلوک 66 مدار کنترل کننده خطی با استفاده از دیود زینر--- 57

11-2: منابع جریان ثابت ---59

12-2: بلوک 67 منبع جریان ثابت با استفاده از ترانزیستور ---60

13-2: بلوک 68منبع جریان ثابت با استفاده از LM350T --- --62

6814-2: بلوک 69 منبع ثابت جریان با قابلیت تغییر جریان خروجی با استفاده از LM338 (5A) --- --- 63

15-2: بلوک های PWM --- 63

16-2: بلوک 70مدار کنترل PWM پایه با استفاده از CMOS --- 64

17-2: بلوک 71 مدار کنترل PWM با استفاده از 400/4011 CMOS--- 65

18-2: بلوک 72مدار کنترل PWM با توان متوسط / زیاد با استفاده از آی سی 555 --- 66

19-2: بلوک 73 مدار کنترل PWM با توان متوسط / زیاد با استفاده از آی سی 555 و ترانزیستور---67

20-2: بلوک 74 کنترل کننده PWM فاز مخالف بااستفاده از آی سی 555---68

21-2: بلوک 75 مدار کنترل PWM فاز مخالف با توان زیاد با استفاده از آی سی 555---70

22-2: بلوک 76 مدار کنترل PWM با استفاده از LM 350---71

فصل سوم: اساس کنترلرهای سرعت

0-3: مقدمه---74

1-3: تئوری کنترل سرعت موتور DC ---75

2-3: شروع بحث ---77 3-3: فرکانس PWM---77 4-3: مدارهای کنترل سرعت ---82 5-3: بازیابی ---83 6-3: معکوس شدن ---85 7-3: مدار پل کامل ---86 8-3: کاهش دما در MOSFET ها – خنک کردن آن---89

9-3: تولید سیگنال PWM ---90

10-3: الکترونیک آنالوگ --- --90

11-3: چیپ های تولید کننده PWM---92

12-3: روش های دیجیتال ---93

13-3: میکرو کنترلر ONBOARD---94

14-3: تداخل در الکترونیک با توان بالا ---94

15-3: تداخل گیرنده رادیویی کنترل---94

16-3: محدود کردن جریان---95

17-3: مقاومت مهار --- 97

18-3: جریان محدود شده مشخصه های گشتاور – سرعت --- 99

19-3: کنترل سرعت فیدبک---100

20-3: کنترل نرم افزاری فیدبک---102

21-3: کد کننده سرعت ---102

فصل چهارم: مدارات نمونه کنترل دور

1-4: هدف---108

2-4: فرکانس PWM: 400 هرتز---109

3-4: تئوری ---114

4-4: ِیکنواخت کردن ---114

فصل پنجم: نرم افزار ORCAD 9. 2

0-5: هدف ---117

1-5: منابع مفید جهت کسب اطلاعات راجع به CAPTURE ---118

2-5: شروع کار با CAPTURE---119

3-5: شکل کلی هر SESSION برنامه CAPTURE---119

4-5: PROJECT MANAGER---121

5-5: پوشه های PROJECT MANAGER---121

6-5: ویرایش مشخصات قطعات مختلف---122

7-5: ویرایش قطعات---124

8-5: شروع یک پروژه---125

خاتمه دادن یک پروژه ---132

منابع و مراجع ---134

قیمت: 30,000 تومان

خرید و دانلود

حاجی زاده بازدید : 48 یکشنبه 13 اردیبهشت 1394 نظرات (0)

- چکیده

موتورهای Dc بدون جاروبک (BLDC)

در این بخش در مورد ویژگی ها، انواع و اساس عملکرد موتورهای DC بدون جاروبک مغناطیس دائم (PM BLDC) بحث می گردد.

1- تعریف موتور BLDC

موتور BLDC در مراجع مختلف دارای تعاریف متفاوتی می باشد. استاندارد انجمن ملی سازندگان تجهیزات الکتریکی (NEMA) ف موتور BLDC را این گونه تعریف می نماید:

یک موتور بدون جاروبک، ماشین دوار خود سنکرونی است که دارای روتور مغناطیس دائم بوده و از موقعیت های مشخصی از شافت دوار روتور، جهت کموتاسیون الکترونیکی استفاده می شود. این موتور می تواند همراه با درایوهای الکترونیکی مربوطه به صورت مجتمع باشد یا این که موتور از درایو مربوطه جدا باشد.

KUSKO نیز تعریف زیر را بیان می کند [12] :

یک موتور که دارای سیم پیچی استاتور بوده و یک موتورم مغناطیس دائم برجسته از جنس آهن نرم دارد. سیم پیچ های استاتور از یک منبع تغذیه اولیه DC و به توسط یک ماتریس از سوئیچ های حالت جامد تغذیه گشته و عمل کنترل با استفاده اط سنسورهای وضعیت و با منطقی مشخص انجام می شود. در غیاب یک ریگلاتور، سرعت موتور متناسب با ولتاژ DC اولیه می باشد.

موتور BLDC اساساً دارای ساختاری مشابه یک مغناطیس دوار همراه با یک مجموعه از هادی های حامل جریان می باشد. از این نظر، مشابه با یک موتور کموتاتور DC معکوس شده نیز می باشد که مغناهطیس می چرخد اما هادی های جریان، ایستان باقی می مانند. در هر دو حالت، برای ثابت ماندن جهت گشتاور در یک جهت، جریان در هادی ها می بایست در هر زمان که یک قطب مغناطیسی از روبروی آن عبور می کند، پلاریته اش نیز معکوس شود. در یک موتور کموتاتور DC، معکوس شدن پلاریته با کموتاتور و جاروبک ها انجام می شود. چون کموتاتور نسبت به روتور ثابت می باشد، لحظات سوئیچ زنی به طور اتوماتیکن با تغییر پلاریته میدان مغناطیسی هادی ها سنکرون می گردد. در یک موتور BLDCف معکوس شدن پلاریته با کلیدزنی ادوات الکترونیک قدرت انجام می گردد. پروسه کموتاسیون در هر دو نوع ماشین، شبیه به هم بوده و سنکرون با وضعیت روتور می باشد و لذا معادلات دینامیکی مربوطه و مشخصه های سرعت-گشتاور آن ها یکسان می باشند.

  • فرمت: zip
  • حجم: 4.97 مگابایت
  • شماره ثبت: 806

خرید و دانلود

حاجی زاده بازدید : 29 یکشنبه 06 اردیبهشت 1394 نظرات (0)

چکیده: این مقاله یک روش کنترل مستقیم توان راکتیو و اکتیو (DPC) جدید ژنراتور القایی دوسو تغذیه (DFIG) متصل به شبکه، که دریک نیروگاه بادی نصب شده است را ارائه نموده است.

روش DPC پیشنهادی، ولتاژکنترل موردنیاز روتوررا با یک روش کنترل غیر خطی با مد لغزشی، بطورمستقیم محاسبه می کند به طوریکه خطاهای لحظه ای توان های راکتیور و اکتیوبدون تبدیل هرگونه مختصات سنکرون حذف می شوند.

در نتیجه نیازی به حلقه های کنترل جریان نبوده بنابراین با ساده شدن طراحی سیستم میزان عملکرد گذرا بهبود می یابد. فرکانس سوئیچ زنی مبدل ثابت با استفاده از مدولاسیون بردار فضایی بدست می آید بطوری که طراحی مبدل توان و فیلتر هارمونیک ac را ساده می کند.

دراین مقاله نتایچ شبیه سازی مربوط به شبکه ای است که متصل به ژنراتور دوسو تغذیه (DFIG) با ظرفیت ۲MW بوده، که با نتایج روش معمولی کنترل برداری ولتاژ و نتایج بدست آمده از جدول کنترل توان مستقیم (DPC - LUT) مقایسه می شوند. بنابراین DPC پیشنهادی، همانند DPC - LUT میزان عملکرد گذرای بهبود یافته را فراهم می کند. و دیگری اینکه مثل روش کنترل بردار ((VC هارمونیک حالت دائم را در همان سطح نگه می دارد.

کلمات کلیدی: فرکانس کلیدزنی و سوئیچ زنی ثابت، کنترل توان مستقیم (DPC) ، ژنراتورهای القایی دو سوتغذیه (DFGs) ، کنترل مد لغزش (SMC) ، نیروگاه بادی.

پروژه کارشناسی ارشد برق

فایل محتوای:

  • اصل مقاله لاتین۱۲ صفحه IEEE
  • متن ورد ترجمه شده بصورت کاملا تخصصی و قابل ویرایش ۲۷ صفحه

خرید و دانلود

حاجی زاده بازدید : 25 یکشنبه 16 فروردین 1394 نظرات (0)

چکیده___ ما هم بصورت آنالیزی و هم بصورت محاسباتی مشخصه های کلیدزنی، قفل شدگی، و پایداری دوسویه یک لیزر حلقه ای نیمه هادی در معرض یک تزریق نوری بیرونی را بررسی می کنیم. کمینه توان نوری مورد نیاز سیگنال تزریق در فرکانسی مشخص برای سوییچ کردن مسیر لیزر کردن یک لیزر حلقه ای نیمه هادی از مسیر لیزری اولیه خود به مسیر غیرلیزری اولیه آن، تعیین شده است. به منظور یافتن ناحیه ی عملیات سوییچینگ قابل اطمینان، قفل شدگی سیگنال تزریقی و پایداری لیزر سوییچ شده مورد بررسی قرار گرفته اند. به همین سان، به منظور یافتن سوییچینگ (کلیدزنی) موفق و ناحیه ی قفل شدگی پایدار با توان و فرکانس تزریق متغیر، شبیه سازی های عددی انجام گرفته اند و با نتایج آنالیزی مورد مقایسه قرار گرفته اند. ناحیه ای که با استفاده از شبیه سازی بدست امد، تطابق خوبی با محل تقاطع ناحیه های سوییچینگ، قفل شدگی و قفل شدگی پایدار دارد. روابط میان پارامترها و سرعت سوییچینگ منبع تزریق شده نیز بصورت عددی مورد بررسی قرار گرفته است.

***پایداری دوسویه (bistability) : حالتی که چیزی که دارای پایداری دوسویه است بتواند در دو حالت استراحت کند. یعنی تعادل در دو حالت آن وجد داشته باشد. ***

پروژه کارشناسی ارشد برق

فایل محتوای:

  • اصل مقاله لاتین ۸ صفحه IEEE
  • متن ورد ترجمه شده بصورت کاملا تخصصی و قابل ویرایش ۲۵ صفحه

خرید و دانلود

حاجی زاده بازدید : 54 یکشنبه 09 فروردین 1394 نظرات (0)

چکیده

در این مقاله، ما مشخصات ساخت یک تکنولوژی CMOS نانووایر با قابلیت تنظیم ولتاژ، به منظور بالا بردن انعطاف در طراحی مدار و کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد را گزارش می دهیم. ساختارهای NW سیلیکونی با اتصالات Schotty_S/D روی لایه سیلیکون بر عایق (SOI) ، به منظور ساخت ترانزیستورهای CMOS مانند تک قطب نابسته به عامل ناخالصی استفاده شده اند. انتخاب نوع وسیله (PMOS یا CMOS) با بکاربری یک بایاس بک گیت انجام شده است. قابلیت برنامه نویسی چند بعدی این روش در ساخت اینورتر VS NW CMOS نشان داده شده است.

مقدمه

نانووایرهای سیلیکون (Si_NW) شدیدن توسط گروه های تحقیقاتی مورد بررسی قرار گرفته و به عنوان جایگزین امیدوار کننده ای برای تکنولوژی های ترانزیستور بر مبنای MOSFET استاندارد، در نظر گرفته شدند؛ نظر باینکه کوچک کردن مقیاس های هندسی کلاسیک وسایل ها MOSFET به بن بست رسیده اند [1]. اگرچه، از آنجایی که ترانزیستورهای نوع n و نوع p سنگ بنای اصلی منطق MOS مکمل امروزی یعنی ساده ترین وسیله آن، اینورتر [3] می باشد؛ آنطور که پیداست ویژگی ambipolar نانو وایرها یک سد راه می باشند؛ ساخت از پایین به بالای NW مورد بحث ما، روش رشد گاز مایع جامد، اغلب با تکنولوژی استاندارد CMOS، بدلیل مواد کاتالیزور استفاده شده، و نیز نیاز دماهای رشد بالا در طی فرآیند ساخت سازگار نمی باشد. مشکلات حل نشده دیگری نیز در طی افزودن ناخالصی ظاهر می شوند (برای مثال تجزیه عامل ناخالصی) [4 و 5]، بنابراین استفاده از نانووایرهای توسعه یافته در مجموعه های مدار مجتمع با اندازه های بزرگ، خیلی امکان پذیر نمی باشد. همان طور که خواهید دید، بیشتر این دغدغه ها می تواند با ساخت بالا به پایین وسایل Si NW تک قطب، با کنتاکت های Schottky برای درین و سورس، برطرف شود. به علاوه، روش ما بر مبنای کنترل با نوع ترانزیستور (یعنی PMOS یا NMOS) وسیله، توسط ولتاژ back gate می باشد؛ که منجر به این می شود که راه برای مشخصه های ترانزیستوری قابل کلیدزنی، تغییر یافتنی باشد.

خرید و دانلود

حاجی زاده بازدید : 27 پنجشنبه 06 فروردین 1394 نظرات (0)
  • عنوان لاتین مقاله: Dopant-Independent and Voltage-Selectable Silicon- Nanowire-CMOS Technology for Reconfigurable Logic Applications
  • عنوان فارسی مقاله: تکنولوژی نیمه هادى اکسید فلزى تکمیلى-نانو وایر-سیلیکون با ولتاژ قابل تنظیم و مستقل به عامل ناخالصی برای کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد.
  • دسته: برق و الکترونیک
  • تعداد صفحات فایل ترجمه شده: 11
  • جهت دانلود رایگان نسخه انگلیسی این مقاله اینجا کلیک نمایید
  • نسخه فارسی مقاله برای خرید آماده است.

خلاصه

در این مقاله، ما مشخصات ساخت یک تکنولوژی CMOS نانووایر با قابلیت تنظیم ولتاژ، به منظور بالا بردن انعطاف در طراحی مدار و کاربردهای منطقی قابل تنظیم مجدد را گزارش می دهیم. ساختارهای NW سیلیکونی با اتصالات Schotty_S/D روی لایه سیلیکون-بر-عایق (SOI) ، به منظور ساخت ترانزیستورهای CMOS-مانند تک قطب نابسته به عامل ناخالصی استفاده شده اند. انتخاب نوع وسیله (PMOS یا CMOS) با بکاربری یک بایاس بک-گیت انجام شده است. قابلیت برنامه نویسی چند بعدی این روش در ساخت اینورتر VS-NW-CMOS نشان داده شده است.

مقدمه

نانووایرهای سیلیکون (Si_NW) شدیدن توسط گروه های تحقیقاتی مورد بررسی قرار گرفته و به عنوان جایگزین امیدوار کننده ای برای تکنولوژی های ترانزیستور بر مبنایMOSFET استاندارد، در نظر گرفته شدند؛ نظر باینکه کوچک کردن مقیاس های هندسی کلاسیک وسایل ها MOSFET به بن بست رسیده اند [1]. اگرچه، از آنجایی که ترانزیستورهای نوع n ونوع p سنگ بنای اصلی منطق MOS مکمل امروزی _یعنی ساده ترین وسیلۀ آن، اینورتر [3] می باشد؛ آنطور که پیداست ویژگی ambipolar [2] نانو وایرها یک سد راه می باشند؛ ساخت از پایین به بالای NW مورد بحث ما، روش رشد گاز-مایع-جامد، اغلب با تکنولوژی استاندارد CMOS، بدلیل مواد کاتالیزور استفاده شده، و نیز نیاز دماهای رشد بالا در طی فرآیند ساخت_ سازگار نمی باشد. مشکلات حل نشدۀ دیگری نیز در طی افزودن ناخالصی ظاهر می شوند (برای مثال تجزیۀ عامل ناخالصی) [4 و 5]، بنابراین استفاده از نانووایرهای توسعه یافته در مجموعه های مدار مجتمع با اندازه های بزرگ، خیلی امکان پذیر نمی باشد. همان طور که خواهید دید، بیشتر این دغدغه ها می تواند با ساخت بالا-به-پایین وسایل Si-NW تک قطب، با کنتاکت های Schottky برای درین و سورس، برطرف شود. به علاوه، روش ما بر مبنای کنترل با نوع-ترانزیستور (یعنی PMOS یا NMOS) وسیله، توسط ولتاژ back-gate می باشد؛ که منجر به این می شود که راه برای مشخصه های ترانزیستوری قابل کلیدزنی، تغییر یافتنی باشد.

  • فرمت: zip
  • حجم: 2.08 مگابایت
  • شماره ثبت: 411

خرید و دانلود

اطلاعات کاربری
  • فراموشی رمز عبور؟
  • آمار سایت
  • کل مطالب : 10720
  • کل نظرات : 0
  • افراد آنلاین : 295
  • تعداد اعضا : 0
  • آی پی امروز : 399
  • آی پی دیروز : 88
  • بازدید امروز : 6,255
  • باردید دیروز : 103
  • گوگل امروز : 4
  • گوگل دیروز : 0
  • بازدید هفته : 6,255
  • بازدید ماه : 6,255
  • بازدید سال : 50,613
  • بازدید کلی : 836,528